2020-2027年のIGBT 世界市場レポート‐タイプ、用途および地域別(北米、ヨーロッパ、その他)に区分される

洞察の観点から、この調査レポートはさまざまなレベルの分析に焦点を当てています。業界の傾向分析、トッププレーヤーの分析、企業プロファイルでは、競争環境、新興および高成長セグメントのIGBT の市場基本的な見解について説明していますおよび高成長地域。さらに、IGBT市場に関連する推進要因、制約、課題、および機会もこのレポートで予測されます。
本研究は,igbtの生産側と消費側に焦点を当て,メーカー,地域,タイプ,用途による世界のigbt市場規模,2013年から2018年までの歴史的ブレークダウンデータ,2025年までの予測を示した。生産側では,igbt容量,生産量,価値,ex工場価格,成長率,主要メーカー,地域(国),製品タイプの市場シェアを調査した。消費側では,igbtによる領域の消費と応用に焦点を当てた。ノースアメリカ  、ヨーロッパ、アジア太平洋、中央、南アメリカ  、中東、アフリカなどの主要地域は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタのIGBTが不足している。出力部には入力部とバイポーラ用MOS構造のパワートランジスタである。高電圧及び高電流に適しており、駆動能力の少ない高出力を制御することができる。絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、電気エネルギーを制御するために使用される半導体パワーデバイスである。それは電源の混雑を減らすことによって安定した電力供給を提供します。そして、最適化された電力利用に至ります。IGBTモジュールは、業界で広く使用されている主要なデバイスです。現在、高効率、高速スイッチング、および最小電力損失の需要の高まりは、市場の主要な駆動要因の一部です。競合問題の存在にもかかわらず、東南アジアとオセアニアの回復傾向が明確であるため、投資家はまだこの地域について楽観的であり、将来はさらに新たな投資がフィールドに入るだろう。研究グループは、お金を持っているが、技術的な利点がなくて、上流と下流の支持がこの分野に入らないという新しい入荷者を推薦します。IGBT市場は2017年に1億1000万USドルで評価され、2025年までに1億5000万USドルに達する見通しだ。本研究では,2017年は,igbtの市場規模を推定する予測期間として,ベース年と2018〜2025と考えられてきた。
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主要競合相手
IGBT
市場の主要企業は次のとおりです:
SEMIKRON
Toshiba
Mitsubishi Electric
CRRC
Starpower Semiconductor
STMicroelectronics
Infineon Technologies
Renesas Electronics
Fuji Electric
ROHM Semiconductor
ON Semiconductor (Fairchild Semiconductor)
ABB
Hitachi
IGBT市場: 用途見通し
家電製品
工業生産
自動車(EV/HEV)
インバータ/ UPS
鉄道
再生可能エネルギー
その他(トラクション、エネルギー、パワーなど)
IGBTタイプ
低電圧
中電圧
高電圧
目次
1 レポート概要
1.1 製品定義と範囲
1.2 IGBT市場についてPEST (政治、経済、社会および技術)分析

2 市場動向および競合情勢
3 IGBT市場セグメンテーション‐タイプ別
4 IGBT市場セグメンテーション‐エンドユーザー別
5 市場分析‐主要地域別
6 主要国のIGBT市場の製品商品
7 北米IGBT情勢分析
8 欧州IGBT情勢分析
9 アジア太平洋地域IGBT情勢分析
10 ラテンアメリカ, 中東/アフリカIGBT情勢分析
11 主要メーカー概要

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レポートは、北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、およびその他の世界の主要国の分析をカバーしています。 さらに、これらの国々における政策動員、社会力学、開発動向、経済開発も考慮されます。
対象オーディエンス:
IGBT メーカー
IGBTの販売代理店およびリセラー
IGBT業界団体
プロダクトマネージャー, IGBT 業界管理者, Cレベルの業界幹部
市場研究およびコンサルティング会社
中小企業(SME)
IGBT潜在的な投資者
IGBT主な利益関係者
IGBTエンドユーザーセクター
研究開発(R&D)会社
当レポートにはどんな情報が含まれていますか。
当レポートは世界的および地域的レベルでの世界のIGBT市場予測および分析を含まれます。
レポートには市場の成長に影響する要因と制約要因が含まれています。
市場機会の詳細について議論しました。
世界の地域市場レイアウト特性の評価。
当レポートには主要市場参入者の詳細な会社概要が含まれています。
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